На полупроводника къде, къде, защо
Buck конвертор с висок изходен ток и високо съотношение на преобразуване
Тази статия описва метод за преодоляване на недостатъците на преобразувател с висок коефициент на преобразуване с помощта на кран върху филтърния дросел. В резултат се намалява ефективно не само коефициентът на преобразуване, но се увеличава и изходният ток.
Силови транзистори GaN: нова платформа за преобразуватели на напрежение
Напредъкът в технологията GaN-on-silicon power device може значително да подобри параметрите на транзистора с полеви ефект, като съпротивлението на канала в режим на включване и произведението на съпротивлението на канала и капацитета на порта. Статията обсъжда нови възможности и перспективи за изграждането на високоефективни преобразуватели на напрежение, базирани на полеви транзистори GaN. Статията е съкратен превод [1].
Изпомпване и изхвърляне - повече мощност, отколкото очаквахте!
Статията разглежда метод за зареждане на кондензаторна банка за съхранение на енергия, който осигурява достатъчен резерв на мощност за захранване на всички видове товари. Описана е схема на преобразувател с висока изходна мощност, използван за зареждане на суперкондензаторна банка. Статията е превод [1].
По-нататъшно развитие на ON Полу-дълготрайни активиконductor последва пътя на придобиване на надеждни активи. През 2006 г. това придобиване беше съоръжението LSI Logic в Грешам, Орегон. Новата производствена площ включваше повече от 9 хиляди квадратни метра „чисти“ помещения с обща площ около 45 хиляди квадратни метра. Това значително разшири производствените възможности на ON Semiconductor, особено чрез експертизата на персонала. Бивши служители на LSI Logic са обогатили ON Semiconductor с опит в внедряването на субмикронни технологии за производство на аналогови и цифрови компоненти и подпомагане на самото производство. Оборудването, закупено от LSI Logic, позволи да се постигнат дизайнерски стандарти от 0,18 микрона, а в бъдеще - да се премине към производствен процес с топология от 0,13 микрона.